Статистика |
Онлайн всего: 1 Гостей: 1 Пользователей: 0 |
|
Главная » 2013 » Ноябрь » 19 » Измеритель емкости и ESR
01:08 Измеритель емкости и ESR |
Тестер изготовлен в КИТАЕ . Автоматически определяет, какой
радиокомпонент к нему подключили, и выводит его основные характеристики
и распиновку на жидкокристаллический текстовый дисплей. Вставляем
неизвестную и незнакомую радиодеталь в тестовый разъем, нажимаем кнопку
"Start" (единственная кнопка этого прибора), и через 2 сек. получаем
результат на дисплее. Тестер реализован на микроконтроллере Atmega 168.Определяет параметры
полупроводников,измеряет индуктивность,ёмкость(ESR+степень износа
С),сопротивления,цоколёвку полупроводника и его параметры(расположение
выводов ЭБК,GDS,коэф.усиления,ёмкость перехода полевика),диоды,двойные
диоды,стабилитроны Данный прибор измеряет практически все полупроводники.
Диапазон измерений и характеристики: - NPN транзисторы - на дисплее "NPN" - PNP транзисторы - на дисплее "PNP" - N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS" - P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS" - N-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "N-D-MOS" - P-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS" - N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET" - P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET" - Тиристоры - на дисплее "Tyrystor" - Симисторы - на дисплее "Triak" - Диоды - на дисплее "Diode" - Двухкатодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CK" - Двуханодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CA" - Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 diode series" - Диоды симметричные - на дисплее "Diode symmetric"
-
Конденсаторы - диапазон от 0,3nF до 20 000uF [nF, uF]при измерении
конденсаторов,показывает значение ESR конденсатора и его износ -Прибор также меряет индуктивности и стабилитроны Описание дополнительных параметров измерения: - H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 10000 - (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента - Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода" - Прямое напряжение – Uf [mV] - Напряжение открытия (для MOSFET) - Vt [mV] - Емкость затвора (для MOSFET) - C= [nF]
Сопротивление:............0,5Ом-20мОм
Индуктивность:.............0,01mH-10H
Емкость:.......................30пФ-20000мкФ(+ESR электролитов)
Питание:.......................9В ("крона" или от внешнего источника)
Потребляемый ток:........25мА
Ток в режиме ожидания:.0,02мкА Изготовлено в КИТАЕ.
|
Просмотров: 1542 |
Добавил: serega
| Рейтинг: 0.0/0 |
|
|
Календарь |
« Ноябрь 2013 » | Пн | Вт | Ср | Чт | Пт | Сб | Вс | | | | | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 |
|
|